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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDM31096LL100ST |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | PDM31096LL100ST |
PDM31096LL
4
Rev. 0.0 - 3/31/98
PRELIMINARY
Data Retention Characteristics
NOTE: 1.VCC = 3.3V, 25C.
Capacitance(1) (T
A = +25°C, f = 1.0 MHz)
NOTE: 1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
AC Test Conditions
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. (1)
Max.
Unit
VDR
VCC for data retention
CE
≥ V
CC -0.2V
VIN ≥ VCC -0.2V
or
≤ 0.2V
1.5
—
V
ICC DR
Data retention current
CE
≥ V
CC -0.2V
VIN ≥ VCC -0.2V
or
≤ 0.2V
—
1.5
40
A
tCDR
Chip deselect to data
retention time
See waveform
0
—
ns
tR
Recovery time
See waveform
tRC
——
ns
Symbol
Parameter
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
6
pF
COUT
Output Capacitance
8
pF
Input pulse levels
VSS to 3.0V
Input rise and fall times
5 ns
Input timing reference levels
1.5V
Output reference levels
1.5V
Output load
See Figures 1 and 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDM31516SA15TTR | 64K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44 |
| PDM31548SA10SOTY | 128K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| PDM31548SA12SOATY | 128K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44 |
| PDM31564SA8T | 256K X 16 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO44 |
| PDM41024SA10TTY | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDM31096SA10SO | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit |
| PDM31096SA10SOA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit |
| PDM31096SA10SOATR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit |
| PDM31096SA10SOATY | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit |
| PDM31096SA10SOI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit |
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