參數(shù)資料
型號(hào)： PD57070
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 6/13頁
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代理商： PD57070
PD57070 - PD57070S
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TEST CIRCUIT
TEST CIRCUIT PHOTOMASTER
6.4 inches
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PD57070S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD663PS 6-division photodiodes PD666PS
PD784054GCA2 16-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER
PD784976A 16-Bit Single-Chip Microcontroller
PDA17-VS20-102AK 17 mm Rotary Potentiometer
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參數(shù)描述
PD57070-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57070S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57070S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57070STR-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57070TR-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
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