參數(shù)資料
型號： PD57060S
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 305K
代理商： PD57060S
PD57060 - PD57060S
TYPICAL PERFORMANCE (PD57060S)
Input Return Loss vs Output Power
4/12
Output Power vs Bias Curent
Drain Efficiency vs Bias Current
Output Power vs Supply Voltage
Drain Efficiency vs Supply Voltage
Output Power vs Gate-Source Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Pout (W)
-40
-30
-20
-10
0
RL (dB)
VDS=28V
IDQ=100mA
945MHz
925MHz
960MHz
890MHz
0
0.5
1
1.5
2
2.5
IDQ (A)
10
20
30
40
50
60
70
80
Pout (W)
Pin=32.8dBm
VDS=28V
960MHz
890MHz
945MHz
925MHz
0
0.5
1
1.5
2
2.5
IDQ (A)
10
20
30
40
50
60
70
Nd (%)
Pin=32.8dBm
VDS=28V
960MHz
925MHz
890MHz
945MHz
10
15
20
25
30
VDS (V)
10
20
30
40
50
60
70
Pout (W)
Pin=32.8dBm
IDQ=100mA
960MHz
890MHz
925MHz
945MHz
10
15
20
25
30
VDS (V)
10
20
30
40
50
60
70
Nd (%)
Pin=32.8dBm
IDQ=100mA
960MHz
925MHz
890MHz
945MHz
0
1
2
3
4
5
VGS (V)
10
20
30
40
50
60
70
80
Pout (W)
Pin=32.8dBm
VDS=28v
960MHz
9455MHz
890MHz
925MHz
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PD57070-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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