參數(shù)資料
型號(hào)： PD57060S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大小： 305K
代理商： PD57060S
PD57060 - PD57060S
10/12
PowerSO-10RF Formed Lead (Gull Wing) MECHANICAL DATA
mm
MIN.
TYP.
MAX
0
0.05
0.1
3.4
3.5
3.6
1.2
1.3
1.4
0.15
0.2
0.25
0.2
5.4
5.53
5.65
0.23
0.27
0.32
9.4
9.5
9.6
7.4
7.5
7.6
13.85
14.1
14.35
9.3
9.4
9.5
7.3
7.4
7.5
5.9
6.1
6.3
0.5
1.2
0.8
1
1.1
0.25
0.8
2 deg
5 deg
8 deg
6 deg
10 deg
Note (1): Resin protrusions not included (max value: 0.15 mm per side)
Inch
TYP.
0.0019
0.137
0.05
0.007
0.007
0.217
0.01
0.374
0.295
0.555
0.37
0.292
0.24
0.019
0.047
0.039
MIN.
0.
0.134
0.046
0.005
MAX
0.0038
0.142
0.054
0.009
A1
A2
A3
A4
a
b
c
D
D1
E
E1
E2
E3
F
G
L
R1
R2
T
T1
T2
0.212
0.008
0.370
0.290
0.544
0.365
0.286
0.231
0.221
0.012
0.377
0.298
0.565
0.375
0.294
0.247
0.030
0.042
0.01
0.031
5 deg
6 deg
10 deg
2 deg
8 deg
DIM.
CRITICAL DIMENSIONS:
- Stand-off (A1)
- Overall width (L)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PD57060STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57060TR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57070 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57070-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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