參數(shù)資料
型號: PD57006-01
英文描述: RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY
中文描述: 射頻功率晶體管LDMOST塑料家庭
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商: PD57006-01
3/4
PD57002-01
Ref. 7359038A
mm
TYP.
0.90
0.02
0.24
0.51
0.71
5.00
5.00
2.57
1.27
Inch
TYP.
0.035
0.001
0.009
0.020
0.028
0.197
0.197
0.101
0.050
MIN.
MAX
1.00
0.05
MIN.
MAX
0.039
0.002
A
A1
A3
b
c
D
E
E2
e
0.43
0.64
0.58
0.79
0.017
0.025
0.023
0.031
2.49
2.64
0.098
0.104
DIM.
PowerFLAT
MECHANICAL DATA
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參數(shù)描述
PD57006-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006-E_10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD57006S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD57006STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power Transistor N Chnl RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray