參數(shù)資料
型號(hào)： PCF85102C-2
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： RESN CER CHIP 8.000MHZ0.5% -40 - 85C
中文描述： 256 × 8位CMOS EEPROM產(chǎn)品具有I2C總線接口
文件頁(yè)數(shù)： 11/20頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： PCF85102C-2
2000 Feb 15
11
Philips Semiconductors
Product specification
256
×
8-bit CMOS EEPROMs with
I
2
C-bus interface
PCF85102C-2; PCF85103C-2
9
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
LIMITING VALUES
10 CHARACTERISTICS
V
DD
= 2.5 to 6.0 V; V
SS
= 0 V; T
amb
=
40 to +85
°
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
stg
T
amb
supply voltage
input voltage on input pins
input current on input pins
output current
storage temperature
ambient temperature
0.3
V
SS
0.8
65
40
+6.5
+6.5
1
10
+150
+85
V
V
mA
mA
°
C
°
C
Z
i
> 500
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Supplies
V
DD
I
DDR
supply voltage
supply current read
2.5
6.0
V
f
SCL
= 100 kHz
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
f
SCL
= 100 kHz
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6.0 V
60
200
μ
A
μ
A
I
DDW
supply current E/W
0.6
2.0
3.5
10
mA
mA
μ
A
μ
A
I
DDstb
standby supply current
SCL input (pin 6)
V
IL
V
IH
I
LI
f
SCL
C
i
SDA input/output (pin 5)
LOW-level input voltage
HIGH-level input voltage
input leakage current
clock frequency
input capacitance
0.8
0.7V
DD
0
+0.3V
DD
6.5
±
1
100
7
V
V
μ
A
kHz
pF
V
I
= V
DD
or V
SS
V
I
= V
SS
V
IL
V
IH
V
OL
I
LO
C
i
Data retention time
LOW-level input voltage
HIGH-level input voltage
LOW-level output voltage
output leakage current
input capacitance
0.8
0.7V
DD
+0.3V
DD
6.5
0.4
1
7
V
V
V
μ
A
pF
I
OL
= 3 mA; V
DD(min)
V
OH
= V
DD
V
I
= V
SS
t
D(ret)
data retention time
T
amb
= 55
°
C
10
years
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PDF描述
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