參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 78/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PC28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
78
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Appendix A Write State Machine
Figure 34
through
Figure 39
show the command state transitions (Next State Table) based on
incoming commands. Only one partition can be actively programming or erasing at a time. Each
partition stays in its last read state (Read Array, Read Device ID, CFI Query or Read Status Register)
until a new command changes it. The next WSM state does not depend on the partition’s output state.
Figure 34.
Write State Machine—Next State Table (Sheet 1 of 6)
Read
Array
(2)
Word
Program
(3,4)
Buffered
Program
(BP)
Erase
Setup
(3,4)
Buffered
Enhanced
Factory Pgm
Setup
(3, 4)
BE Confirm,
P/E
Resume,
ULB,
Confirm
(8)
BP / Prg /
Erase
Suspend
Read
Status
Clear
Status
Register
(5)
Read
ID/Query
Lock, Unlock,
Lock-down,
CR setup
(4)
(FFH)
(10H/40H)
(E8H)
(20H)
(80H)
(D0H)
(B0H)
(70H)
(50H)
(90H, 98H)
(60H)
Ready
Program
Setup
BP Setup
Erase
Setup
BEFP Setup
Lock/CR
Setup
Ready
(Unlock
Block)
Setup
Busy
Setup
Busy
Word
Program
Suspend
Suspend
Word
Program
Busy
Setup
BP Load 1
BP Load 2
BP
Confirm
BP Busy
BP Busy
BP Suspend
BP
Suspend
BP Busy
Setup
Erase Busy
Busy
Erase
Suspend
Suspend
Erase
Suspend
Word
Program
Setup in
Erase
Suspend
BP Setup in
Erase
Suspend
Erase Busy
Lock/CR
Setup in
Erase
Suspend
BP Suspend
Erase
BP Busy
Erase Busy
Erase Suspend
Erase Suspend
Ready (Error)
Erase Busy
BP Suspend
Ready (Error)
Word
Program
Program Busy
Word Program Suspend
Word Program Busy
OTP
Ready (Lock Error)
Ready
Ready
Ready (Lock Error)
OTP Busy
Current Chip
State
(7)
Command Input to Chip and resulting
Chip
Next State
BP
BP Busy
Lock/CR Setup
BP Load 2
Ready (Error)
Ready (Error)
Word Program Busy
BP Confirm if Data load into Program Buffer is complete; Else BP Load 2
Word Program Suspend
BP Load 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F640P30T85 CAP 0.1UF 50V 20% Z5U RAD.10 .20X.20 TR-13
PC48F4400P0VB00 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F0P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F2P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F3P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
PC28F640P30B85D 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F640P30B85E 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F640P30BF65A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 65NM 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
PC28F640P30BF65B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS TBGA
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