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參數(shù)資料
| 型號： | PC28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| 封裝： | LEAD FREE, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 40/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | PC28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
40
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Notes:
1.
WAIT is driven per OE# assertion during synchronous array or non-array read, and can be configured to
assert either during or one data cycle before valid data.
At the end of Word Line; the delay incurred when a burst access crosses a 16-word boundary and the
starting address is not 4-word boundary aligned.
2.
Figure 20.
Continuous Burst Read, showing an Output Delay Timing
R305
R305
R305
R305
R304
R4
R7
R312
R307
R15
R303
R102
R3
R106
R105
R101
R2
R304
R304
R304
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F640P30T85 | CAP 0.1UF 50V 20% Z5U RAD.10 .20X.20 TR-13 |
| PC48F4400P0VB00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PC48F0P0VTQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PC48F2P0VTQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PC48F3P0VTQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PC28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| PC28F640P30B85D | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F640P30B85E | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F640P30BF65A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 65NM 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| PC28F640P30BF65B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS TBGA |
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