參數(shù)資料
型號： PBSS8110S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
中文描述： 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 54K
代理商： PBSS8110S
2004 Aug 13
3
Philips Semiconductors
Product specification
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS8110S
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; standard footprint.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; standard footprint.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
junction temperature
operating ambient temperature
storage temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
120
100
5
1
3
300
830
150
+150
+150
V
V
V
A
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
j max
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
150
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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