參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS8110S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
中文描述： 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： PBSS8110S
2004 Aug 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS8110S
FEATURES
SOT54 package
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability: I
C
and I
CM
Higher efficiency leading to less heat generation.
APPLICATIONS
Automotive 42 V power
Telecom infrastructure
General industrial applications
Power management
– DC/DC converters
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
Peripheral drivers
– Generic driver (e.g. lamps and LEDs)
– Inductive load driver (e.g. relays,
buzzers and motors).
DESCRIPTION
NPN low V
CEsat
BISS transistor in a SOT54 plastic
package.
MARKING
QUICK REFERENCE DATA
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS8110S
S8110S
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
100
1
3
200
V
A
A
m
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
handbook, halfpage
1
3
2
MAM259
2
1
3
Fig.1 Simplified outline (SOT54) and symbol.
ORDERING INFORMATION
TYPE NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
PBSS8110S
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
PBSS8110S,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS8110T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes
PBSS8110T T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
PBSS8110T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS8110T/DG,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel
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