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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS5350S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PBSS5350S |
2001 Nov 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350S
handbook, halfpage
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
2
0
200
400
600
800
0.4
0.8
1.2
1.6
MLD755
VCE (V)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
=
3.96 nA.
(2) I
B
=
3.63 nA.
(3) I
B
=
3.30 nA.
(4) I
B
=
2.97 nA.
(5) I
B
=
2.64 nA.
(6) I
B
=
2.31 nA.
(7) I
B
=
1.98 nA.
(8) I
B
=
1.65 nA.
(9) I
B
=
1.32 nA.
(10) I
B
=
0.99 nA.
(11) I
B
=
0.66 nA.
(12) I
B
=
0.33 nA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
2
0
1
2
3
4
0.4
0.8
1.2
1.6
MLD756
VCE (V)
(1) (2) (3)
Fig.7
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
=
250 mA.
(2) I
B
=
225 mA.
(3) I
B
=
200 mA.
(4) I
B
=
175 mA.
(5) I
B
=
150 mA.
(6) I
B
=
125 mA.
(7) I
B
=
100 mA.
(8) I
B
=
75 mA.
(9) I
B
=
50 mA.
(10) I
B
=
25 mA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
)
IC (mA)
3
10
2
10
1
10
2
10
1
MLD757
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.8
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C. (2) T
amb
= 25
°
C. (3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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