參數(shù)資料
型號： PBSS3515M
英文描述： 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
中文描述： 15伏，0.5安PNP型低飽和壓降（BISS）晶體管
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： PBSS3515M
2003 Jul 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
max.
A
(1)
b
b
1
e
1
e
L
L
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35
0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883
SC-101
03-02-05
03-04-03
D
E
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b1
A1
A
D
L1
0
0.5
1 mm
scale
Leadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm
SOT883
e
e1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PBSS3515M,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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