參數(shù)資料
型號: PBSS3515M
英文描述: 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
中文描述: 15伏,0.5安PNP型低飽和壓降(BISS)晶體管
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 67K
代理商: PBSS3515M
DATA SHEET
Product specification
2003 Jul 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS3515M
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
M3D883
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PBSS3515M,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS3515MB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 15V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency Typ ft:280MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:90; Operating ;RoHS Compliant: Yes
PBSS3515MB,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS3515VS 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual PNP/PNP transistor,PBSS3515VS