參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS2515YPN,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 430 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT363 (SC-88); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 15 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： PBSS2515YPN,115
2005 Jan 11
8
Philips Semiconductors
Product specication
15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistor
PBSS2515YPN
handbook, halfpage
103
102
10
1
101
MLD698
101
1
10
IC (mA)
RCEsat
(
)
102
103
(1)
(3)
(2)
Fig.12 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
TR2 (PNP) IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb =25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(10)
IC
(mA)
VCE (V)
1200
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD694
(9)
Fig.13 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) IB = 7 mA.
(2) IB = 6.3 mA.
(3) IB = 5.6 mA.
(4) IB = 4.9 mA.
(5) IB = 4.2 mA.
(6) IB = 3.5 mA.
(7) IB = 2.8 mA.
(8) IB = 2.1 mA.
(9) IB = 1.4 mA.
(10) IB = 0.7 mA.
TR2 (PNP) Tamb =25 °C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PBSS2540M,315 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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參數(shù)描述
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PBSS2540E T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2540E,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2540E115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A LOW SAT SC75
PBSS2540F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-490
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