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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2515 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN雙晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | PBSS2515 |
2001 Nov 07
10
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN double transistor
PBSS2515VS
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
| PBSS3515F | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBSS2515E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.5A,PBSS2515E |
| PBSS2515E T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515E,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515E115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 15V 0.5A LOW SAT SC75 |
| PBSS2515F | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-490 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 0.5A SOT490,PBSS2515F |
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