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參數(shù)資料
| 型號： | PBMB100B12 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE H-Bridge 100A 1200V |
| 中文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-14 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | PBMB100B12 |
PBMB100B12
0
1
2
3
4
0
50
1
00
1
50
200
Forward Voltage V
F
V)
F
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25
℃
T
C
=
1
25
℃
0
400
800
1
200
1
600
1
0.2
0.5
1
2
5
1
0
20
50
1
00
200
500
Collector to Emitter Voltage V
CE
V)
C
Fig
1
0- Reverse Bias Safe Operating Area Typical)
R
G
=
1
0
Ω
V
GE
=
±1
5V
T
C
≦1
25
℃
0
1
00
200
300
400
500
600
1
2
5
1
0
20
50
1
00
200
500
-di/dt A/
μ
s)
P
R
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
I
RrM
trr
I
F
=
1
00A
T
C
=25
℃
5
1
0
20
50
1
00
200
0.05
0.
1
0.2
0.5
1
2
5
1
0
Series Gate Impedance R
G
Ω
)
S
μ
s
Fig7- Series Gate Impedance vs Switching Time Typical)
V
CC
=600V
I
C
=
1
00A
V
GE
=
±1
5V
T
C
=25
℃
tf
tr
ton
toff
1
0
-5
1
0
-4
1
0
-3
1
0
-2
1
0
-
1
1
1
0
1
2x
1
0
-3
5x
1
0
-3
1
x
1
0
-2
2x
1
0
-2
5x
1
0
-2
1
x
1
0
-
1
2x
1
0
-
1
5x
1
0
-
1
1
Time t s)
T
(
℃
/
Fig
11
- Transient Thermal Impedance
T
C
=25
℃
1
Shot Pulse
FRD
IGBT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBMB150A6 | IGBT MODULE H-Bridge 150A 600V |
| PBMB150B12 | IGBT MODULE H-Bridge 150A 1200V |
| PBMB200A6 | IGBT MODULE H-Bridge 200A 600V |
| PBMB300A6 | Photointerruptors 0.25mm slit width 0.18mA min 0.7V |
| PBMB50A6 | IGBT MODULE H_Bridge 50A 600V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBMB100E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 100A, 600V |
| PBMB150A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 150A 600V |
| PBMB150B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 150A 1200V |
| PBMB150E6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT Module-H Bridge 150A, 600V |
| PBMB200A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE H-Bridge 200A 600V |
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