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參數(shù)資料
| 型號： | P4C198-35PM |
| 廠商： | Pyramid Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| 中文描述： | 超高速16K的× 4靜態(tài)CMOS五羊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | P4C198-35PM |
P4C198/198L, P4C198A/198AL
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Document #
SRAM113
REV A
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C198L/P4C198AL Military Temperature Only)
Typ.*
V
CC
=
Max
V
CC
=
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Unit
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
2.0
V
10
15
600
900
μA
t
CDR
Chip Deselect to
Data Retention Time
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V or
V
IN
≤
0.2V
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
§
ns
*
T
A
= +25°C
§
t
RC
= Read Cycle Time
This parameter is guaranteed but not tested.
*V
CC
= 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V.
198:
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
198A:
CE
1
= V
IL
,
CE
2
= V
IL
.
OE
= V
IH
DATA RETENTION WAVEFORM
I
CC
Symbol
Parameter
Temperature
Range
Commercial
Dynamic Operating Current*
Industrial
Military
–10
180
N/A
–12
170
–15
160
–20
155
–25
150
–35
N/A
–45
N/A
Unit
N/A
mA
mA
mA
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED
N/A
150
155
160
170
180
N/A
170
160
155
150
145
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C198A-10LC | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198A-10LI | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198A-10LM | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198A-10LMB | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
| P4C198A-12CC | ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C214-13PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-17PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-20PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25GR52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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