參數(shù)資料
型號： P2N2369A
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 225K
代理商： P2N2369A
NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTOR
P2N2369A
TO - 92
Plastic Package
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25oC unless specified otherwise)
MAX
0.85
0.15
1.60
Base Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
*
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=30mA, I
B
=3mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Ta=+125oC
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Ta= -55oC
I
C
=10mA, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=1V
Ta= -55oC
I
C
=30mA, V
CE
=0.4V
I
C
=100mA, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=0.35v
V
V
V
DC Current Gain
h
FE
*
120
120
I
E
=0, V
CB
=5V
f=140KHz
V
CE
=10V,I
C
=10mA
f=100MH
Z
SWITCHING CHARCTERISTICS
I
C
=10mA, I
B1
=3mA,
I
B2
=1.5mA, V
CC
=3V
I
C
=10mA, I
B1
=3mA,
V
CC
=3V,I
B2
=1.5mA
I
C
=100mA, I
B1
=10mA,
I
B2
= 10mA, V
CC
=10V
*Pulse Condition: Width < 300
m
s, Duty Cycle < 2%.
13
ns
Turn off Time
t
off
12
Storage Time
t
s
ns
15
ns
500
Turn on Time
t
on
MHz
Output Capacitance
C
ob
4
pF
Transition Frequency
f
T
1.02
V
V
UNIT
DYNAMIC CHARACTERISTICS
0.59
0.7
20
40
40
20
30
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
VALUE
MIN
CBE
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
P2N2907 MCU CMOS 40 LD 40MHZ 8K FLASH, -40C to +125C, 40-PDIP, TUBE
P2N2907ARL1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N2907AZL1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N3019 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE
P2N4033 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P2N2369ZL1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
P2N2369ZL1G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
P-2N2905 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SI 2
P2N2907 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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