參數(shù)資料
型號(hào)： P2N2222ARL1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： P2N2222ARL1
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PDF描述
P2N2222AZL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N2369A BJT
P2N2907 MCU CMOS 40 LD 40MHZ 8K FLASH, -40C to +125C, 40-PDIP, TUBE
P2N2907ARL1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N2907AZL1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P2N2222ARL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
P2N2222AZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
P2N2222AZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
P2N2369 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS
P2N2369A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
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