- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367629 > P2103ACRP SIDAC|250V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-220VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | P2103ACRP |
| 英文描述： | SIDAC|250V V(BO) MAX|800MA I(S)|TO-220VAR |
| 中文描述： | SIDAC的| 250V五（公報(bào)）最大| 800mA的我（縣）|對220VAR |
| 文件頁數(shù)： | 120/161頁 |
| 文件大小： | 986K |
| 代理商： | P2103ACRP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁當(dāng)前第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁
Construction and Operation
SIDACtor
Data Book
5 - 4
Teccor Electronics
(972) 580-7777
amounts of current because of the low voltage drop (V
T
) across the device. Once the
current flowing through the device is either interrupted or falls below a minimum
holding current (I
H
), the SIDACtor resets, returning to its off-state.
Physics
The SIDACtor is a semiconductor device which is characterized as having four layers
of alternating conductivity; PNPN. The four layers include an emitter layer, an upper
base layer, a mid-region layer and a lower base layer. The emitter is sometimes
referred to as a cathode region, with the lower base layer being referred to as an
anode region.
As the voltage across the SIDACtor increases and exceeds the devices V
DRM
, the
electric field across the center junction reaches a value sufficient to cause avalanche
multiplication. As avalanche multiplication occurs, the impedance of the device begins
to decrease and current flow begins to increase until the SIDACtor
’
s current gain
exceeds unity. Once unity is exceeded, the SIDACtor switches from a high impedance
(measured at V
S
) to a low impedance (measured at V
T
) until the current flowing
through the device is reduced below it
’
s holding current (I
H
).
Figure 5-2 Geometric Structure of Bidirectional SIDACtors
P
N
N
N
P
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P2300EA | MCU CMOS 44 LD 16MHZ 4K EPRM, 0C to +70C, 44-TQFP, TRAY |
| P2300EARP1 | MCU CMOS 40 LD 16MHZ 4K EPRM, -40C to +85C, 40-PDIP, TUBE |
| P2300EARP2 | MCU CMOS 40 LD 25MHZ 4K EPRM, 0C to +70C, 40-PDIP, TUBE |
| P2300EB | MCU CMOS 44 LD 25MHZ 4K EPRM, 0C to +70C, 44-TQFP, TRAY |
| P2300EBRP1 | MCU CMOS 44 LD 25MHZ 4K EPRM, -40C to +85C, 44-TQFP, TRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P2103HVG | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P2103NV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P2103NVG | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P2103U | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| P2103U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Balanced Three-chip SIDACtor |
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