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參數(shù)資料
| 型號： | P02221B2P |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | 500mW InGaP HBT Amplifier |
| 中文描述： | 500mW的InGaP HBT寬頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | P02221B2P |
[Typical Performance]
KP035J Application Circuit
(Vs=5V, Tc=25°C, f=2140MHz)
Technical Note
P02221B2P
500mW InGaP HBT Amplifier
Specifications and information are subject to change without notice. 2005-07
Eudyna Devices Inc. 1,Kanai-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-0845 Japan
Phone : +81-45-853-8150 Fax : +81-45-853-8170 e-mail : www-sales-s@eudyna.com Web Site : www.eudyna.com
P
Pout, Gain, IP3, Id vs Pin
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-10
-5
0
5
10
Pin (dBm)
G
I
250
260
270
280
290
300
310
320
330
340
350
I
IP3
Pout
Gain
Is
Gain vs Frequency
13.0
13.2
13.4
13.6
13.8
14.0
14.2
14.4
14.6
14.8
15.0
2.10
2.12
2.14
2.16
2.18
Frequency (GHz)
G
Pin=-10dBm
f1=2139.5MHz
f2=2140.5MHz
IM3, IM5 vs Pout
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
5
10
15
20
25
Pout (dBm)
I
I
IM3
IM5
ACLR vs Pout
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
5
10
15
20
25
Pout (dBm)
A
3GPP Test Model 1
with 64DPCHs
ABS(I+Q)=100%
f1=2139.5MHz
f2=2140.5MHz
-3-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P048F048M12AL | TRANSF T1/E1 1.41CT:1 EE5 SMD |
| P048F048M24AL | VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module |
| P048K048T24AL | VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module |
| P048K048M24AL | VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module |
| P048F048T12AL | VI Chip - PRM-AL Pre-Regulator Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P022FW1CX1 | 制造商:PREMO 制造商全稱:PREMO CORPORATION S.L 功能描述:Third generation of planar transformers |
| P022FW1CX2 | 制造商:PREMO 制造商全稱:PREMO CORPORATION S.L 功能描述:Third generation of planar transformers |
| P022FW1CX3 | 制造商:PREMO 制造商全稱:PREMO CORPORATION S.L 功能描述:Third generation of planar transformers |
| P023-001 | 制造商:Tripp Lite 功能描述:AC POWER CORD, 5-15P/L5-15R, 120V, SJTW, 14AWG, 15A - 1' - Bulk |
| P-023610-0002 | 制造商:Edwards Signaling & Security Systems 功能描述:GASKET SET |
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