- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385658 > P01xxxL (意法半導體) Sensitive Gate SCR(硅控整流管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | P01xxxL |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 靈敏柵極可控硅（硅控整流管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | P01XXXL |
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
P (W)
360
O
= 180
o
= 120
o
= 90
o
= 60
o
= 30
o
DC
I
(A)
T(AV)
Fig.1 :
Maximum average power dissipation ver-
sus averageon-statecurrent.
0
10 20 30 40
50
60 70 80
90 100 110 120 130
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
I
(A)
T(AV)
= 180
o
Tamb ( C)
Fig.3 :
Average on-state current versus tab tem-
perature.
Igt
Ih
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.040
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Tj( C)
o
Fig.5:
Relativevariationof gatetriggercurrent and
holdingcurrent versus junction temperature.
0
20
40
60
80
100
120
140
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
P (W)
Rth(j-a)
Tamb ( C)
Fig.2 :
Correlation between maximum average
power dissipation and maximum allowable tem-
perature (Tamb).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
Alumine substrate: 10mm*8mm*0.5mm
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junctionto ambient versuspulse duration.
1
10
100
1,000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tj initial = 25 C
Number of cycles
I
(A)
TSM
Fig.6 :
Non repetitivesurge peak on-state current
versusnumber of cycles.
P01xxxL
3/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P01xxxN | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| P1000A | Silicon Rectifiers |
| P1000B | Silicon Rectifiers |
| P1000D | Silicon Rectifiers |
| P1000G | Silicon Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P01XXYA1AA3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
| P01XXYA2AL3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
| P02.7P4FZCCC | 制造商:undefined 功能描述: |
| P020 | 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class |
| P0200014700KAEY000 | 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。