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PMZ2081

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  • PMZ2081MD6100M100J105
    PMZ2081MD6100M100J105

    PMZ2081MD6100M100J105

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯系人：優(yōu)質現貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 13840

  • EVOX RIFA / KEMET

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現貨可開票

  • PMZ2081MD6100M100J105
    PMZ2081MD6100M100J105

    PMZ2081MD6100M100J105

  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
    深圳市品業(yè)電子有限公司

    聯系人：李小姐

    電話：0755-23895664

    地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 38

  • EVOX RIFA / KEMET

  • *

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  • -

  • 只做原裝正品 現貨 價格優(yōu)勢 QQ咨詢

  • PMZ2081MD6100M100J105
    PMZ2081MD6100M100J105

    PMZ2081MD6100M100J105

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • Evox Rifa / KEMET

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品質量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共30條 
  • 1
PMZ2081 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
PMZ2081 技術參數
  • PMZ200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 PMZ130UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 PMZ1200UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:410mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43.2pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 410mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 PMZ1000UN,315 功能描述:MOSFET N-CH SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:480mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 PM-Y65-P 功能描述:SENSOR SLOT PNP 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-65 零件狀態(tài):有效 感應距離:0.236"（6mm） 感應方法:可傳導的 輸出配置:PNP - 開路集電極 安裝類型:底座安裝 電流 - 電源:15mA 電壓 - 電源:5 V ~ 24 V 響應時間:20μs 工作溫度:-25°C ~ 55°C（TA） 封裝/外殼:模塊，連接器，槽型 標準包裝:1 PMZ390UN,315 PMZ390UNEYL PMZ420UNYL PMZ550UNEYL PMZ600UNELYL PMZ600UNEYL PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315
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