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PMZB600UNEYL

PMZB600UNEYL 低壓MOS管
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
200000
NEXPERIA/安世
SOT883B
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMZB600UNEYL
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT883B
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMZB600UNEYL
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

PMZB600UNEYL
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
92500
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V XQFN
22+
-

PMZB600UNEYL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PMZB600UNEYL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PMZB600UNEYL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DFN1006B-3
18+
-
MOSFET N-CH 20V XQFN...

PMZB600UNEYL
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100000
NXP SEMIC
帶卷（TR）
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PMZB600UNEYL
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT883B
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

PMZB600UNEYL
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原裝正品

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1

您是不是要找： PMZB670UPE,315 PMZB790SN,315 PMZB950UPELYL PMZB950UPEYL PN01145AAD PN01147AAD PN01224AAD PN01262AAD PN01868

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功能描述
MOSFET N-CH 20V XQFN3
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
600mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
21.3pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta），2.7W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
620 毫歐 @ 600mA，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
DFN1006B-3
封裝/外殼
3-XFDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMZB600UNEYL 技術(shù)參數(shù)

PMZB600UNELYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:600mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB550UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:590mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 590mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB420UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:900mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.98nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:65pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:900mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:930mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029 PN08310