PMZB600UNELYL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMZB600UNELYL
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
200000
NEXPERIA/安世
SOT883B
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMZB600UNELYL
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
NA
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMZB600UNELYL
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

PMZB600UNELYL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

PMZB600UNELYL
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT883B
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

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功能描述
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
制造商
nexperia usa inc.
系列
TrenchMOS??
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
600mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
21.3pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
620 毫歐 @ 600mA，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
3-DFN1006B（0.6x1）
封裝/外殼
3-XFDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMZB600UNELYL 技術(shù)參數(shù)

PMZB550UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:590mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 590mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB420UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.98nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:65pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:930mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB370UNE,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.16nC @ 15V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029