參數(shù)資料
型號(hào)： NUP1301ML3T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in a Single Data Line
中文描述： UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： NUP1301ML3T1G
NUP1301ML3T1
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance JunctiontoAmbient
R
JA
625
°
C/W
Lead Solder Temperature
Maximum 10 Seconds Duration
T
L
260
°
C
Junction Temperature
T
J
65 to 150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I
(BR)
= 100 A)
V
(BR)
70
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 70 Vdc)
(V
R
= 25 Vdc, T
J
= 150
°
C)
(V
R
= 70 Vdc, T
J
= 150
°
C)
I
R
2.5
30
50
Adc
Diode Capacitance (between I/O and ground)
(V
R
= 0, f = 1.0 MHz)
C
D
0.9
pF
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 10 mAdc)
(I
= 50 mAdc)
(I
F
= 150 mAdc)
V
F
715
855
1000
1250
mV
dc
2. FR5 = 1.0
3. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in, 99.5% alumina.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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