參數(shù)資料
型號(hào)： NTMFS4839N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET(功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET（功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： NTMFS4839N
NTMFS4839N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Unit
Max
Typ
Min
Test Condition
Symbol
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.9
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.8
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dIS/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
22.2
ns
Charge Time
t
a
12.5
Discharge Time
t
b
9.7
Reverse Recovery Charge
Q
RR
10.8
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
0.93
nH
Drain Inductance
L
D
0.005
nH
Gate Inductance
L
G
1.84
nH
Gate Resistance
R
G
3.3
5. Pulse Test: pulse width
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
300 s, duty cycle
2%.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
= 3.0 V
I
D
,
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
3.5 V
4.0 V
4.2 V
4.4 V
4.6 V
6.0 V
T
J
= 25
°
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
1
2
3
4
5
6
I
D
,
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T
C
= 25
°
C
T
C
= -55
°
C
T
C
= 125
°
C
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5 11.5
R
D
,
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance versus
Gate-to-Source Voltage
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.01
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
= 11.5 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Temperature
R
D
,
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PDF描述
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