- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361164 > NTHS5445T1 (ON SEMICONDUCTOR) Power MOSFET P-Channel 5.2 A, 8 V(5.2A，8V，P通道的功率MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NTHS5445T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Power MOSFET P-Channel 5.2 A, 8 V(5.2A，8V，P通道的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 5200 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | CASE 1206A-01, CHIPFET-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | NTHS5445T1 |
NTHS5445T1
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CHIPFET
CASE 1206A–01
ISSUE A
B
S
C
D
G
L
A
1
2
3
4
8
7
6
5
M
J
K
1
2
3
4
8
7
6
5
DIM
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MIN
2.95
1.55
1.00
0.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.35
MIN
0.116
0.061
0.039
0.010
MAX
0.122
0.067
0.043
0.014
INCHES
MILLIMETERS
0.65 BSC
0.10
0.30
0.55 BSC
5 NOM
0.025 BSC
0.004
0.012
0.022 BSC
5 NOM
---
0.15
0.45
0.008
0.018
---
1.80
0.071
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
0.05 (0.002)
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. DRAIN
4. GATE
5. SOURCE
6. DRAIN
7. DRAIN
8. DRAIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4001NT1 | Small Signal MOSFET |
| NTJD4001NT1G | Small Signal MOSFET |
| NTJD4001N | Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA(30V, 250mA, 小信號MOSFET) |
| NTJS4405N | Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A(25V, 1.2A, 小信號MOSFET) |
| NTK3134N | Power MOSFET(功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTHS5445T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET P-Channel ChipFET? |
| NTHS75680RJ | 制造商:MACOM 制造商全稱:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTI02B0N1TRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
| NTI02B0N2TRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
| NTI02B0N3TRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。