參數(shù)資料
型號： NTHS5404T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 5200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： NTHS5404T1
NTHS5404
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
8
12
4
12
16
1800
900
600
300
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
T
J
= 25
°
C
C
oss
C
iss
C
rss
1500
10
1
10
1
100
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
t
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
V
DD
= 10 V
I
D
= +1.0 A
V
GS
= 4.5 V
100
4
8
0
1200
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
V
GS
V
DS
0.2
0
0.4
0.6
0.8
5
3
2
1
0
I
S
,
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
4
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
(
I
D
= 5.2 A
T
J
= 25
°
C
Q
GD
/Q
GS
= 1.33
Q
G
V
D
D
Q
GS
Q
GD
0.0001
1
0.01
10
0.1
0.01
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
0.1
1
0.001
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, JunctiontoAmbient
Duty Cycle = 0.5
100
1000
N
T
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
PER UNIT BASE = R
JA
= 80
°
C/W
T
JM
T
A
= P
DM
Z
JA
(t)
SURFACE MOUNTED
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
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PDF描述
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