參數(shù)資料
型號(hào)： NTHD2102PT1G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
中文描述： 3.4 A, 8 V, 0.058 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, MINIATURE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： NTHD2102PT1G
NTHD2102P
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
3
2
1
00
2
3
4
1
5
6
7
8
8
6
4
0
2
V
SD
, SourcetoDrain Voltage (V)
S
R
G
, Gate Resistance (Ohms)
t
0
0.40
5
0.50
0.60
0.70
0.90
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
100
10
10
10
100
V
DD
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
P
50
40
30
20
10
10
103
2
1
10
Time (sec)
1
10
100
600
0
104
1.00
1000
Figure 7. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
Figure 10. Single Pulse Power
Q
g,
Total Gate Charge (nC)
G
D
T
J
= 25
°
C
I
D
= 3.4 A
V
GS
V
DS
Q
T
Q
2
Q
1
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
4
3
2
1
0.80
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