參數(shù)資料
型號： NTE458
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： N-Channel Silicon JFET General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier
中文描述： N溝道場效應(yīng)通用硅，低噪聲，音頻放大器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 21K
代理商： NTE458
NTE458
N–Channel Silicon JFET
General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier
Features:
Very Low Noise
Low Gate Current
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Gate–Drain Voltage, V
GDO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Source Voltage, V
GSO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain–Source Voltage (V
DS
= –2V), V
DSX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate Current, I
G
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation, P
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–50V
–50V
50V
20mA
10mA
250mW
+125
°
C
–55
°
to +125
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Gate Reverse Current
I
GSS
Zero–Gate Voltage Drain Current
I
DSS
Gate–Source Voltage
V
GS(off)
Forward Transconductance
g
fs
Test Conditions
V
GS
= –20V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 10V, I
D
= 0.5mA, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1k
,
f = 10Hz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1k
,
f = 100Hz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
G
= 1k
,
f = 1kHz
I
D
= 0.5mA, R
G
= 1k
,
f = 10Hz to 1kHz (at V
G
= –3dB)
Min
–
0.5
–0.13
4.0
4.0
–
–
–
Typ
–
3.0
–0.5
5.2
12
13
2.6
5.0
Max
–1
12
–1.5
–
–
–
–
10
Unit
nA
mA
V
mhos
mhos
pF
pF
dB
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Noise Frequency
C
iss
C
rss
NF
–
1.0
3.0
dB
–
0.6
1.5
dB
Noise Voltage
NV
–
15
20
mV
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