參數(shù)資料
型號： NTE319
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC
中文描述： 硅NPN晶體管高頻放大器瓦特/正向自動增益控制
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE319
NTE319P
Silicon NPN Transistor
VHF Amp
w
/Forward AGC
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
T
Derate above +25
°
C
Operating Junction Temperature, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Lead Temperature (During Soldering, 1/16”
±
1/32” from case, 10sec), T
L
20V
20V
3V
50mA
625mW
5mW/
°
C
+150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
+230
°
C
. . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
Symbol
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
V
(BR)EBO
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 20V, I
E
= 0
h
FE
I
C
= 2mA, V
CE
= 10V
V
CE(sat)
I
C
= 10mA, I
B
= 5mA
V
CEO(sus)
I
C
= 1mA, I
B
= 0
f
T
I
C
= 2mA, V
CE
= 10V,
f = 100MHz
G
pe
V
BE
= 2V, f = 45MHz
C
cb
I
E
= 0, V
CB
= 10V, f = 1MHz
NF
V
BE
= 2V, f = 45MHz
Test Conditions
Min
20
3
–
20
–
20
300
Typ
–
–
–
80
–
–
–
Max
–
–
50
220
2.75
–
500
Unit
V
V
nA
V
V
MHz
Power Gain
Capacitance
Noise Figure
27
–
–
29
0.13 0.22
2.7
–
dB
pF
dB
5.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE952 Integrated Circuit Precision 2.5V Shunt
NTE319P Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC
NTE31 Silicon Complementary Transistors TV Sound Output, TV Vertical Output, AF Driver Output
NTE320 Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz
NTE320F Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE319P 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 20V IC=0.05A TO-92 CASE VHF AMP W/FORWARD AGC 制造商:NTE Electronics 功能描述:TO-92 NPN VHF AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin TO-92
NTE32 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -160V 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI-VERT/SND OUTPUT 制造商:NTE Electronics 功能描述:TO-92 PNP AF DR OUT 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 160V 1A 3-Pin TO-92
NTE320 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 36V IC=6A PO=40W RF POWER AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 18V 7A 4-Pin Case T-72
NTE320F 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN- SI-RF PO40 W
NTE322 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 65V IC=0.5A TO-202N CASE PO=3.5W RF POWER OUTPUT 制造商:NTE Electronics 功能描述:NPN RF PWR OUTPUT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*