參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2642
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output High Speed Switch
中文描述： 硅NPN晶體管水平偏轉(zhuǎn)輸出高速開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 23K
代理商： NTE2642
NTE2642
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection Output
High Speed Switch
Features:
High Breakdown Voltage
High Reliability
High Speed Switching
Wide Area of Safe Operation (ASO)
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous DC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulse
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1700V
1700V
600V
7V
16A
30A
8A
65W
3.5W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
mA
μ
A
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 1000V, I
E
= 0
V
CB
= 1700V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 8A
I
C
= 8A, I
B
= 2A
I
C
= 8A, I
B
= 2A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.1A, f = 0.5MHz
–
–
50
–
–
1
Emitter Cutoff Current
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
–
–
50
DC Current Gain
6
–
12
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
–
3
V
Base–Emitter Saturation Voltage
–
–
1.5
V
Transition Frequency
–
3
–
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE2643 Silicon NPN Transistor, VHF/UHF Low Noise Amp (Surface Mount)
NTE265 Silicon NPN Transistor Darlington Power Amplifier
NTE266 Silicon NPN Transistor Darlington Power Amplifier
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參數(shù)描述
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