參數(shù)資料
型號(hào)： NTE227
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor High Voltage Amp, Video Output
中文描述： 硅NPN晶體管高壓放大器，視頻輸出
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE227
NTE227
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amp, Video Output
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, V
CBO
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
max
Power Dissipation (T
COLLECTOR LEAD
= +25
°
C), P
D
max
Maximum Operating Junction Temperature, T
J
max
Thermal Resistance, Junction–to–Case (T
COLLECTOR LEAD
= +25
°
C), R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (T
A
= +25
°
C), R
thJA
300V
300V
6V
100mA
850mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2W
+150
°
C
62.5
°
C/W
147
°
C/W
. . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 260V
V
EB
= 6V
I
C
= 1mA, V
CE
= 10V
I
C
= 10mA, V
CE
= 10V
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A
V
(BR)EBO
I
E
= 10
μ
A
V
CE(sat)
I
C
= 20mA, I
B
= 2mA
V
BE(sat)
I
C
= 20mA, I
B
= 2mA
f
T
I
C
= 10mA
V
BE(sat)
I
C
= 10mA
C
ib
Min
–
–
25
40
300
300
6
–
–
50
–
–
Typ
–
–
–
90
–
–
–
0.25
0.74
–
–
–
Max
100
100
–
200
–
–
–
1.0
1.0
200
0.76
70
Unit
nA
nA
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Base–Emitter Saturation Voltage
Capacitance
V
V
V
V
V
MHz
V
pF
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