參數(shù)資料
型號(hào)： NP88N04KHE-E2-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： NP88N04KHE-E2-AY
Data Sheet D14236EJ8V0DS
7
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)TO-263 (MP-25ZJ)
Note
2)TO-263 (MP-25ZK)
1.4
± 0.2
1.0
±
0.5
2.54 TYP.
8.5
±
0.2
123
5.7
±
0.4
4
4.8 MAX.
1.3
± 0.2
0.5
± 0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7
± 0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8
±
0.2
10.0
± 0.3
8.0
TYP.
2.54
0.75
± 0.2
9.15
±
0.3
2.54
±
0.25
15.25
±
0.5
1.35
±
0.3
123
4
2.5
4.45
± 0.2
1.3
± 0.2
0.5 ± 0.2
0 to 8ο
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
No plating
7.88 MIN.
0.025 to
0.25
3)TO-220 (MP-25)
Note
4)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
Note
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6
± 0.2
4
3.0
±
0.3
1.3
± 0.2
0.75
± 0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3
± 0.2
0.5
± 0.2
2.8
± 0.2
φ
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3
± 0.2
0.75
± 0.3
2.54 TYP.
8.5
±
0.2
12.7
MIN.
1.3
± 0.2
0.5
± 0.2
2.8
± 0.2
1.0
±
0.5
4
Note Not for new design
<R>
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP88N04KHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N055DLE-S12-AY 88 A, 55 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
NP89-12110MF-G4 PGA121, IC SOCKET
NP89-14409MF-G4-BF PGA144, IC SOCKET
NP89-19601MF-G4-BF PGA196, IC SOCKET
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參數(shù)描述
NP88N04KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04KUG-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZK - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
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NP88N04MHE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04MHE-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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