參數(shù)資料
型號(hào)： NP88N04KHE-E2-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： NP88N04KHE-E2-AY
Data Sheet D14236EJ8V0DS
2
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°C)
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
VDSS
40
V
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
VGSS
±20
V
Drain Current (DC) (TC = 25
°C)
Note1
ID(DC)
±88
A
Drain Current (pulse)
Note2
ID(pulse)
±352
A
Total Power Dissipation (TA = 25
°C)
PT1
1.8
W
Total Power Dissipation (TC = 25
°C)
PT2
288
W
Channel Temperature
Tch
175
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to +175
°C
Single Avalanche Current
Note3
IAS
75/88
A
Single Avalanche Energy
Note3
EAS
562/232
mJ
Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2. PW
≤ 10
μs, Duty cycle ≤ 1%
3. Starting Tch = 25
°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V (see Figure 4.)
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Rth(ch-C)
0.52
°C/W
Channel to Ambient Thermal Resistance
Rth(ch-A)
83.3
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP88N04KHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N055DLE-S12-AY 88 A, 55 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
NP89-12110MF-G4 PGA121, IC SOCKET
NP89-14409MF-G4-BF PGA144, IC SOCKET
NP89-19601MF-G4-BF PGA196, IC SOCKET
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參數(shù)描述
NP88N04KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04KUG-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZK - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
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NP88N04MHE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04MHE-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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