參數(shù)資料
型號： NP88N04KHE-E1-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： MOS場效應晶體管的開關N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： NP88N04KHE-E1-AY
Data Sheet D14236EJ8V0DS
5
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
1
0.1
0.01
10
100
Pulsed
23
45
7
6
VDS = 10 V
TA =
50°C
25
°C
75
°C
175
°C
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
0
1.0
1.5
2.0
200
500
400
300
0.5
Pulsed
VGS = 10 V
100
0
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
|
y
fs
|
-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
VDS = 10 V
Pulsed
0.01
1
100
10
1
0.1
0.01
10
100
0.1
TA = 175
°C
75
°C
25
°C
50°C
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
Ω
0
510
5
15
20
Pulsed
10
ID = 44 A
0
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
Ω
5
10
1
10
15
100
1000
Pulsed
0
VGS = 10 V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature -
°C
V
GS(th)
-
Gate
to
Source
Threshold
Voltage
-
V
1.0
VDS = VGS
ID = 250
μA
2.0
3.0
4.0
50
0
50
100
150
0
相關PDF資料
PDF描述
NP88N04KHE-E2-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04KHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N055DLE-S12-AY 88 A, 55 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
NP89-12110MF-G4 PGA121, IC SOCKET
NP89-14409MF-G4-BF PGA144, IC SOCKET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NP88N04KHE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04KUG-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZK - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
NP88N04KUG-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N04MHE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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