參數(shù)資料
型號： NP88N04KHE-E1-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： NP88N04KHE-E1-AY
Data Sheet D14236EJ8V0DS
4
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
25
50
75
100 125 150 175 200
20
40
60
80
100
TC - Case Temperature -
°C
0
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
25
50
75
100 125 150 175 200
350
300
250
200
150
100
50
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
10
1
0.1
100
0.1
1000
1
10
100
ID(pulse)
R
DS(on)
Limited
(V
GS
=
10
V)
ID(DC)
PW
=
10
μs
1 ms
10
ms
DC
Po
wer
Dissipation
Limited
Single pulse
TC = 25
°C
100
μs
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting Tch - Starting Channel Temperature -
°C
E
AS
-
Single
Avalanche
Energy
-
mJ
0
25
100
400
600
800
50
75
100
125
150
175
500
300
200
700
IAS = 75 A
562 mJ
232 mJ
88 A
PW - Pulse Width - s
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
°C/
W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10
100
μμ
Single pulse
Rth(ch-A) = 83.3
°C/W
TC = 25
°C
Rth(ch-C) = 0.52
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP88N04KHE-E2-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04KHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N055DLE-S12-AY 88 A, 55 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
NP89-12110MF-G4 PGA121, IC SOCKET
NP89-14409MF-G4-BF PGA144, IC SOCKET
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參數(shù)描述
NP88N04KHE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04KUG-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZK - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
NP88N04KUG-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N04MHE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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