參數(shù)資料
型號： NP86N04NHE-S18-AY
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場效應晶體管的開關(guān)N溝道功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： NP86N04NHE-S18-AY
Data Sheet D14235EJ4V0DS
6
NP86N04EHE, NP86N04KHE, NP86N04CHE, NP86N04DHE, NP86N04MHE, NP86N04NHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
9
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
R
D
Ω
0
50
2
1
4
3
6
5
0
50
100
150
I
D
= 43 A
8
7
V
GS
= 10 V
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
F
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
0
Pulsed
1000
100
10
1
0.1
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 10 V
0 V
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
100
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
f
t
d(on)
t
d(off)
t
r
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 1
Ω
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
I
F
- Diode Forward Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
100
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
20
40
80
120
50
40
30
20
10
0
V
DS
0
60
100
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
I
D
= 86 A
V
DD
= 32 V
20 V
8 V
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PDF描述
NP88N04MHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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NP88N03KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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