參數(shù)資料
型號： NP86N04NHE-S18-AY
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場效應晶體管的開關N溝道功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 221K
代理商： NP86N04NHE-S18-AY
Data Sheet D14235EJ4V0DS
4
NP86N04EHE, NP86N04KHE, NP86N04CHE, NP86N04DHE, NP86N04MHE, NP86N04NHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
%
0
25
50
75
100 125 150 175 200
20
40
60
80
100
T
C
- Case Temperature -
°
C
0
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
25
50
75
100 125 150 175 200
280
240
200
160
120
80
40
0
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
100
1
10
100
I
D(pulse)
R
DS(on)
Lmted
(V
GS
=10V)
10
1000
1ms
100
μ
s
PW=10
μ
s
I
D(DC)
0.1
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T
C
= 25
°
C
Single Pulse
PowerDsspaion
DC
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
°
C
A
025
100
400
600
800
50
75
100
125
150
175
500
300
200
700
= 24 A
84 A
450 mJ
74 mJ
580 mJ
I
AS
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
°
C
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
R
th(ch-A)
= 83.3
°
C/W
10
100
R
th(ch-C)
= 0.65
°
C/W
μ
μ
相關PDF資料
PDF描述
NP88N04MHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04MHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04NHE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04NHE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N055CHE-S12-AZ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NP88N03KDG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N03KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N03KUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP88N03KUG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A
NP88N04CHE 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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