參數(shù)資料
型號： NID6002N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Self(自保護型FET（帶過溫和過流保護）)
中文描述： 自（自保護型場效應管（帶過溫和過流保護））
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 67K
代理商： NID6002N
NID6002N
http://onsemi.com
2
MOSFET MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Value
Unit
DraintoSource Voltage Internally Clamped
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
70
Vdc
GatetoSource Voltage
14
Vdc
Drain Current
Continuous
Internally Limited
Total Power Dissipation
@ T
A
= 25
°
C (Note 1)
@ T
A
= 25
°
C (Note 2)
Thermal Resistance
JunctiontoCase
JunctiontoAmbient (Note 1)
JunctiontoAmbient (Note 2)
1.3
2.5
W
R
JC
R
JA
R
JA
E
AS
3.0
95
50
°
C/W
Single Pulse DraintoSource Avalanche Energy
(V
DD
= 50 Vdc, V
GS
= 5.0 Vdc,
I
L
= 1.3 Apk, L = 160 mH, R
G
= 25 )
Operating and Storage Temperature Range
(Note 3)
143
mJ
T
J
, T
stg
55 to 150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Surface mounted onto minimum pad size (100 sq/mm) FR4 PCB, 1 oz cu.
2. Mounted onto 1
″
square pad size (700 sq/mm) FR4 PCB, 1 oz cu.
3. Normal prefault operating range. See thermal limit range conditions.
相關PDF資料
PDF描述
NIF5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護FET)
NIMD6302R2 HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET
NIS6111 BERS IC (Better Efficiency Rectifier System) Ultra Efficient, High Speed Diode(BERS IC，高效，高速二極管)
NJ8811 CONTROL CIRCUIT FOR FREQUENCY SYNHESIS
NJ8812 CONTROL CIRCUIT FOR FREQUENCY SYNHESIS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NID6002NT4 功能描述:MOSFET NFET 60V HD+ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NID6002NT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V HD+ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NID60S24-05 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 20-53Vin 5Vout 4A 20W SIP non-isolated RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
NID60S24-12 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 20-53Vin 12Vout 4A 48W SIP non-isolated RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
NID60S24-15 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 20-53Vin 15Vout 4A 60W SIP non-isolated RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*