參數(shù)資料
型號： NGD15N41CLT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 94K
代理商： NGD15N41CLT4
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
8
ORDERING INFORMATION
Device
Package Type
Shipping
NGD15N41CL
DPAK
75 Units/Rail
NGD15N41CLT4
DPAK
2500/Tape & Reel
NGB15N41CLT4
D
2
PAK
800/Tape & Reel
NGP15N41CL
TO220
50 Units/Rail
MARKING DIAGRAMS
Gx15N41
x
Y
WW
= Device Code
= D, B, or P
= Year
= Work Week
Gx15N41
YWW
1
Gate
3
Emitter
4
Collector
Gx15N41
YWW
1
Gate
3
Emitter
4
Collector
2
Collector
2
Collector
TO220AB
CASE 221A
STYLE 9
D
2
PAK
CASE 418B
STYLE 4
DPAK
CASE 369C
STYLE 7
1
Gate
4
Collector
2
Collector
3
Emitter
Gx15N41
YWW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NGP15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V)
NGD18N40CLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護(hù)型FET（帶過溫和過流保護(hù)）)
NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NGD15N41CLT4G 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD15N41CLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IGBT
NGD18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK
NGD18N40ACLBT4G 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD18N40CLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
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