參數(shù)資料
型號： NGD15N41CLT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 94K
代理商： NGD15N41CLT4
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
7
100
10
0.1
1
0.01
Figure 15. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
A
= 25 C)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
A
= 125 C)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
1
100
10
1000
100
10
0.1
1
0.011
100
10
1000
100
μ
s
10 ms
1 ms
100 ms
DC
100
μ
s
10 ms
1 ms
100 ms
DC
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10
0.1
1
0.01
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
1
100
10
1000
100
10
0.1
1
0.011
100
10
1000
t
1
= 1 ms, D = 0.05
I
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
I
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
t
1
= 2 ms, D = 0.10
t
1
= 3 ms, D = 0.30
t
1
= 1 ms, D = 0.05
t
1
= 2 ms, D = 0.10
t
1
= 3 ms, D = 0.30
Figure 17. Pulse Train Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
C
= 25 C)
Figure 18. Pulse Train Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
C
= 125 C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NGP15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V)
NGD18N40CLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護型FET（帶過溫和過流保護）)
NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護FET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NGD15N41CLT4G 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD15N41CLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IGBT
NGD18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK
NGD18N40ACLBT4G 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD18N40CLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
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