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參數(shù)資料
| 型號： | NE685M03 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | NE685M03 |
NE68518, NE68530
D.C. POWER DERATING CURVE
200
180
100
0
0
50
100
150
INFINITE
HEAT SINK
FREE AIR
114
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
200
180
100
0
0
100
150
125
50
50
150
114
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
NE68519
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
5
4
3
2
1
0
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
I
C
= 10 mA
MAG
|S
21E
|
2
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
50
40
30
20
10
0
38.4 114
0 50 100 150
0
100
180
200
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
T
T
N
F
(
Frequency, f (GHz)
NE68533, NE68539
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
0
2
4
6
8
10
12
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
I
E
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
I
E
|
2
(
M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
FORWARD INSERTION GAIN
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN
vs. FREQUENCY
NE685 SERIES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE685 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE685M23 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M13 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M13-T3 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE687 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE685M03-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M03-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor |
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