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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE685M03 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | NE685M03 |
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EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
NEC
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
Internet: http://WWW.CEL.COM
02/24/2002
Note:
1. Lead material: Cu
Lead plating: PbSn
PART NUMBER QUANTITY PACKAGING
NE68518-T1
3000 Tape & Reel
NE68519-T1
3000 Tape & Reel
NE68530-T1
3000 Tape & Reel
NE68533-T1
3000 Tape & Reel
NE68539-T1
3000 Tape & Reel
NE68539R-T1
3000 Tape & Reel
ORDERING INFORMATION
NE685 SERIES
Life Support Applications
These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably
be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and
agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NE685M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor |
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