參數(shù)資料
型號： NE68019-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大小： 246K
代理商： NE68019-T1
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 3 V, I
C
= 5mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.36
1.47
1.55
1.71
1.88
2.06
2.29
19.2
15.7
14.0
11.0
9.0
7.4
6.0
0.52
0.48
0.46
0.42
0.32
0.27
0.22
18
33
41
58
75
86
103
0.47
0.33
0.31
0.27
0.22
0.18
0.12
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.36
1.47
1.55
1.71
1.88
2.06
2.29
19.44
15.86
14.16
11.15
9.49
7.89
6.74
0.56
0.54
0.52
0.48
0.36
0.30
0.24
16
30
39
58
77
88
103
0.50
0.36
0.33
0.30
0.27
0.23
0.17
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.45
20.74
0.46
22
0.41
800
1000
2000
3000
1.50
1.55
1.90
2.40
17.44
15.79
9.96
7.26
0.39
0.34
0.24
0.16
44
54
76
130
0.32
0.29
0.26
0.12
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
800
1000
2000
3000
1.5
1.6
1.6
2.1
2.4
21.20
17.50
15.63
10.20
7.49
.47
.38
.44
.32
.19
21
36
47
81
125
0.44
0.31
0.43
0.27
0.14
NE680 SERIES
NE68018
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68019
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68030
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68033
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68039
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68035
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
1000
1.2
19.21
0.30
65
0.37
2000
4000
1.7
2.6
14.49
9.12
0.20
0.22
155
-128
0.30
0.33
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.10
18.26
0.65
21
0.56
800
1000
1500
2000
1.20
1.27
1.43
1.64
14.56
13.26
9.80
7.76
0.60
0.52
0.47
0.39
32
43
48
53
0.42
0.39
0.36
0.32
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
1000
2000
3000
4000
1.35
1.45
1.70
2.10
2.55
19.25
14.20
9.18
6.60
5.22
0.60
0.45
0.22
0.11
0.18
17
33
42
-4
-63
0.60
0.48
0.45
0.40
0.47
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.32
12.79
0.79
21
1.60
800
1000
1500
2000
1.48
1.58
1.82
2.12
12.59
11.35
5.87
3.48
0.72
0.69
0.64
0.59
40
52
64
78
1.43
1.08
0.92
0.75
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
1000
2000
3000
4000
1.52
1.76
2.25
2.92
16.93
10.70
7.56
5.82
0.46
0.37
0.36
0.35
126
-159
-132
-115
0.15
0.11
0.14
0.16
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.14
19.29
0.54
18
0.41
800
1000
1500
2000
1.21
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10.98
9.34
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0.31
0.16
28
39
55
97
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0.29
0.25
0.19
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
1000
2000
3000
4000
1.5
1.6
1.7
2.1
2.6
20.60
15.91
10.82
8.49
7.21
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0.17
0.40
3
0.52
0.40
0.26
0.29
0.31
29
81
-158
-116
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68030-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68033-T1B NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68039-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68039R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680M03 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68019-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68030 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68030-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68030-T1 功能描述:TRANS NPN 2GHZ SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE68030-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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