參數(shù)資料
型號： NE68019-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： NE68019-T1
NE680 SERIES
Parameters
Q1
Parameters
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
Q1
0.64
0
0
0.75
0
0.5
8.7e-12
18
19.1
0.082
0
0.635e-9
1.11
0
3
0
1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
3.84e-16
124.9
1.05
11.9
0.027
1.0e-14
2.17
1
1.05
Infinity
Infinity
0
2
0.6
17.9
1.02
4.01e-4
10.5
0.358e-12
0.71
0.5
0.162e-12
0.79
NE68035 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 5.0 GHz
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA to 20 mA
10/31/96
CCB_PKG
0.11pF
0.07pF
LC
0.96nH
CCB
LB
LB_PKG
LC_PKG
0.15nH
0.1 ohms
CCE_PKG
0.2pF
CCEX_PKG
RE_PKG
0.1 ohms
0.2pF
LE_PKG
0.38nH
CBE_PKG
0.05pF
CBEX_PKG
0.1pF
EMITTER
RC_PKG
COLLECTOR
RB_PKG
0.15nH
0.1 ohms
BASE
0.45nH
CCE
0.01pF
68100
Q1
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PDF描述
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NE68039-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68039R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE68030 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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NE68030-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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