參數(shù)資料
型號： NE651R479A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： NE651R479A-T1
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
7
NE651R479A
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
This product should be soldered and mounted under the following recommended conditions. For soldering
methods and conditions other than those recommended below, contact your NEC sales representative.
Soldering Method
Soldering Conditions
Recommended Condition Symbol
Infrared Reflow
Package peak temperature: 235
°
C or below,
Time: 30 seconds or less (at 210
°
C or higher),
Count: 2 times or less,
Exposure: limit: None
Note
IR35-00-2
Partial Heating
Pin temperature: 260
°
C or below,
Time: 5 seconds or less (per pin row)
Exposure: limit: None
Note
Note
After opening the dry pack, store it at 25
°
C or less and 65 % RH or less for the allowable storage period.
Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE651R479A-T1-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE652N 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
NE657N 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD I.C.
NE661M04 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE661M04-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE661M04-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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