參數(shù)資料
型號： NE5500179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON POWER MOS FET
中文描述： 硅功率MOS FET
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： NE5500179A
Data Sheet PU10118EJ01V1DS
5
NE5500179A
V
DS
= 3.0 V
I
= 100 mA
f = 2.45 GHz
P
out
I
D
O
o
D
D
Input Power P
in
(dBm)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. INPUT POWER
30
15
25
20
10
5
500
400
300
200
100
0
30
25
15
10
5
0
20
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 100 mA
f = 850 MHz
P
out
I
D
O
o
D
D
Input Power P
in
(dBm)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. INPUT POWER
30
15
25
20
10
5
–
5
500
400
300
200
100
0
25
20
10
5
0
15
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 100 mA
f = 850 MHz
d
η
add
η
100
50
0
25
20
15
10
5
0
–
5
D
η
P
η
Input Power P
in
(dBm)
DRAIN EFFICIENCY, POWER ADDED
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
V
DS
= 4.5 V
f = 460 MHz
P
in
= 15 dBm
P
out
I
D
O
o
D
D
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
10
5
25
20
15
0
600
500
400
300
200
100
0
4.0
2.0
1.0
3.0
V
DS
= 4.5 V
f = 460 GHz
P
in
= 15 dBm
100
50
0
4.0
3.0
2.0
1.0
D
η
P
η
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
DRAIN EFFICIENCY, POWER ADDED
EFFICIENCY vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
d
η
add
η
V
DS
= 3.0 V
I
Dset
= 100 mA
f = 2.45 GHz
100
50
0
30
25
20
15
10
5
D
η
P
η
Input Power P
in
(dBm)
DRAIN EFFICIENCY, POWER ADDED
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
d
η
add
η
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