參數(shù)資料
型號(hào)： NE521DR2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 比較器
英文描述： High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
中文描述： DUAL COMPARATOR, 10000 uV OFFSET-MAX, 9.6 ns RESPONSE TIME, PDSO14
封裝： LEAD FREE, SOIC-14
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： NE521DR2G
NE521
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
20mV
5mV
10mV
4
3
2
1
0
100
50
0
0
5
10
15
20
25
30
V
S
= +5V
T
A
= 25
o
C
100mV
TIME — nS
I
O
T
A
= 25
o
C
V
S
= +5V
5mV
10mV
100mV
50mV
0
5
10
15
20
25
30
TIME — nS
I
O
4
3
2
1
0
100
50
0
INPUT VOLTAGE (mVp
p)
P
V
= +5V
10MHz SQUARE
WAVE INPUT
T
A
= 25
o
C
TPD (LH)
TPD (HL)
10
20
30
40
50
60
70
12
10
8
6
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
100
1000
INPUT VOLTAGE (m Vp
p)
P
V
= +5V
10MHz SQUARE
WAVE INPUT
T
A
= 25
o
C
TPD (LH)
TPD (HL)
4.0
3.0
2.0
1.0
75
25
+25
+75
V
OL
V
OH
AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
O
75
25
+25
+75
+125
AMBIENT TEMPERATURE
(
o
C)
12
11
10
9
8
7
6
I
μ
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
75
25
+25
+75
+125
AMBIENT TEMPERATURES (
o
C)
I
μ
12
10
8
6
4
2
60
20
AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
20
+60
+100
+140
TPD (LH)
TPD (HL)
T
Figure 3. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 4. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 5. Response Time
vs. Temperature
Figure 6. Propagation Delay
for Various Input Voltages
Figure 7. Propagation Delay
for Various Input Voltages
Figure 8. Output Voltage vs.
Ambient Temperature
Figure 9. Input Bias Current
vs. Ambient Temperature
Figure 10. Input Offset
Current vs. Ambient
Temperature
+125
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PDF描述
NE521NG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE5230DG Low Voltage Operational Amplifier
NE5500179A SILICON POWER MOS FET
NE5500179A-T1 SILICON POWER MOS FET
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NE521N 功能描述:校驗(yàn)器 IC Dual Diff Comparator RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品: 比較器類型: 通道數(shù)量: 輸出類型:Push-Pull 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.1 V 補(bǔ)償電壓（最大值）:6 mV 電源電流（最大值）:1350 nA 響應(yīng)時(shí)間: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-70-5 封裝:Reel
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